时间：2025/7/12 5:58:40
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SH21B103K251CT 是一款高性能的 N 治道 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换领域。该芯片具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
这款 MOSFET 采用 TO-252 封装形式，适合表面贴装工艺，从而简化了生产流程并提高了可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：12mΩ
栅极电荷（典型值）：7nC
总功耗：1.8W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-252
SH21B103K251CT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的发热。
2. 高速开关能力使其非常适合高频开关应用。
3. 具备强大的过流保护功能，能够有效防止短路或过载情况下的损坏。
4. 优秀的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 表面贴装封装设计降低了装配难度，并提升了产品的可靠性和一致性。
6. 工作温度范围宽广，适用于各种恶劣环境条件。
SH21B103K251CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 逆变器和 UPS 系统。
4. LED 驱动电路。
5. 电池管理系统 (BMS)。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
IRLZ44N, FDP5570, AO3400A
