时间：2025/9/2 4:51:51
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H9HKNNNEBMMUER-NMH 是由SK Hynix生产的一款高性能LPDDR5 SDRAM（低功耗双倍数据速率第五代同步动态随机存取存储器）芯片。这款内存芯片设计用于高带宽和低功耗应用，广泛适用于移动设备、高端智能手机、平板电脑以及嵌入式系统。它采用了先进的制造工艺，提供高速数据传输速率和出色的能效表现。
类型：LPDDR5 SDRAM
容量：8GB
数据速率：6400Mbps
电压：1.02V ~ 1.12V（VDD）, 0.48V ~ 0.58V（VDDQ）
封装类型：FBGA
封装尺寸：130-ball
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9HKNNNEBMMUER-NMH LPDDR5内存芯片支持多种高性能功能，包括双时钟差分信号（CK_t/CK_c）、数据掩码（DM）和校验功能（CA parity）。该芯片支持预取缓冲器架构，允许在单个时钟周期内访问多个数据位，从而显著提高数据吞吐量。其低电压设计（1.02V~1.12V VDD和0.48V~0.58V VDDQ）相比前代LPDDR4X进一步降低了功耗，适用于电池供电设备。此外，该芯片支持多种节能模式，如深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）等，进一步优化系统能效。
为了提高数据完整性和系统稳定性，H9HKNNNEBMMUER-NMH还集成了纠错和校验功能，如命令/地址校验（CA Parity）、写数据校验（WDQS Parity）和数据总线反转（DBI）。这些功能有助于减少数据传输错误，提升系统可靠性。此外，该芯片具备出色的散热性能，其封装设计优化了热传导路径，适合高负载和高性能计算场景。
该芯片广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中，如旗舰级智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、AR/VR头显、车载信息娱乐系统（IVI）和边缘计算设备。其高带宽和低功耗特性使其成为5G通信、AI推理、图形处理和多任务处理的理想选择。
H9HKNNNEBMMUER-NMH 的替代型号包括 H9HKNNNEBMMUBR-NMH 和 H9HKNNNEBMMUCR-NMH，这些型号具有相似的性能参数和封装规格，适用于不同的系统需求。
