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H9HKNNNEBMAVAR 发布时间 时间:2025/9/1 14:44:51 查看 阅读:7

H9HKNNNEBMAVAR 是由SK Hynix(海力士)生产的一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列,专为移动设备和高性能计算应用设计。H9HKNNNEBMAVAR 采用了先进的制造工艺,具备高存储密度、低功耗和高速数据传输能力,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等领域。

参数

类型:DRAM
  子类型:LPDDR4
  容量:4GB(具体容量可能因版本不同而有所变化)
  封装类型:BGA(球栅阵列封装)
  封装尺寸:根据具体版本可能有所不同
  电压:1.1V(标准工作电压)
  数据速率:3200Mbps - 4266Mbps(根据时钟频率不同)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行接口
  刷新模式:自动刷新/自刷新
  封装环保标准:符合RoHS标准

特性

H9HKNNNEBMAVAR 具备多项先进的技术特性,使其在现代电子设备中表现出色。首先,它采用了LPDDR4标准,具备低功耗设计,适用于对电池续航能力要求较高的移动设备。其工作电压为1.1V,相比前代LPDDR3进一步降低了功耗,提高了能效比。
  其次,H9HKNNNEBMAVAR 支持高达4266Mbps的数据传输速率,能够满足高性能计算和图形处理的需求。其高速数据传输能力有助于提升设备的整体响应速度和运行效率。
  此外,该芯片采用了先进的BGA封装技术,具有良好的电气性能和散热能力,确保在高负载下依然保持稳定运行。封装尺寸紧凑,适合在空间受限的设备中使用。
  H9HKNNNEBMAVAR 还具备良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适用于各种复杂的工作环境。同时,该芯片符合RoHS环保标准,不含有害物质,符合现代电子产品的环保要求。

应用

H9HKNNNEBMAVAR 主要应用于需要高性能、低功耗内存的电子设备中。最常见的应用包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动终端设备。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,该芯片也广泛用于嵌入式系统、工业控制设备、车载电子系统等需要稳定内存解决方案的领域。
  在智能手机中,H9HKNNNEBMAVAR 能够提供足够的内存带宽支持多任务处理、高清视频播放和大型游戏运行,提升用户体验。在平板电脑和笔记本电脑中,该芯片能够有效延长电池续航时间,同时保证设备的高性能表现。在工业控制和车载系统中,H9HKNNNEBMAVAR 的高稳定性和宽温工作范围使其能够在恶劣环境下可靠运行。

替代型号

H9HKNNNEBMAVAR的替代型号包括H9HKNNNEAMUMR、H9HKNNNEBMUMR、H9HKNNNEBMAVAR等,具体选择需根据实际需求进行匹配。

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