时间：2025/8/24 22:02:23
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HUF76419S3ST_F085 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的功率应用，具有低导通电阻、快速开关特性和优异的热性能。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供增强的性能和可靠性，适用于电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：0.0027Ω（最大）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK-3
HUF76419S3ST_F085 MOSFET 具有多个显著的技术特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，使得导通和开关性能更加优异，适合高频开关应用。此外，HUF76419S3ST_F085 具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
在封装方面，该MOSFET采用了D2PAK-3表面贴装封装，提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化生产流程。该封装还具有较大的散热片区域，有助于快速散热，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
此MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性，适用于高可靠性的工业和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围宽泛，适用于多种驱动电路设计，包括PWM控制和同步整流应用。
HUF76419S3ST_F085 MOSFET 主要应用于需要高电流和高效率的功率系统。典型应用包括DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统、负载开关、电源管理和汽车电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在电动工具、电动汽车、太阳能逆变器和工业自动化设备中具有广泛的应用前景。
在电源管理系统中，该MOSFET可用于同步整流，以提高转换效率。在电机控制应用中，它能够提供精确的电流控制和高效的功率输出。此外，该器件还可用于高功率LED驱动、充电器和储能系统，满足不同领域的高功率需求。
HUF76415D3ST_F085, HUF76425S3ST_F085, IRF1405, SiR142DP
