CSD95375Q4M是一款由TI(德州仪器)推出的高效率、低电感半桥功率级解决方案,专为同步降压DC-DC转换器设计。该器件集成了N沟道功率MOSFET和驱动器IC,并采用了QFN封装形式。其设计目的是降低导通电阻和开关损耗,同时提高功率密度和系统效率。
型号:CSD95375Q4M
品牌:TI(德州仪器)
封装:8x8mm QFN
最大工作电压:30V
高边导通电阻:6.2mΩ(典型值)
低边导通电阻:3.1mΩ(典型值)
连续漏极电流:60A(峰值)
栅极驱动电压:10V
工作温度范围:-55℃至150℃
CSD95375Q4M具有非常低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体效率。
它采用了优化的布局设计,可显著降低寄生电感对性能的影响。
内置热关断保护功能确保了器件在异常情况下的安全性。
其快速开关特性和栅极驱动能力使其适用于高频应用场合。
该器件经过严格的测试和验证,保证了长期使用的可靠性和稳定性。
这款芯片主要应用于同步降压DC-DC转换器中,广泛用于笔记本电脑、台式机、服务器等电源管理系统。
它可以作为核心功率级组件,用于高性能多相VRM(电压调节模块)设计。
此外,CSD95375Q4M还适合需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景,如通信设备、工业自动化以及消费类电子产品中的电源管理部分。
CSD95374Q4M
CSD95373Q4M