容量：512K x 8位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54引脚
　　数据保持电压：1.0V（最小）
　　待机电流：10mA（典型值）
　　读取电流：180mA（典型值）

HM628512CLTTI7 是一款高性能的静态RAM芯片，其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计以及宽电压工作范围。该芯片的访问时间仅为55ns，能够满足高速数据处理的需求。其CMOS制造工艺不仅保证了芯片的低功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为10mA左右，而且提高了芯片的抗干扰能力和稳定性。
　　此外，HM628512CLTTI7 支持较宽的工作电压范围（2.3V 至 3.6V），这使其适用于多种电源环境，增强了系统的兼容性和灵活性。该芯片还支持数据保持模式，即使在电压降至1.0V的情况下，也能保持存储数据不丢失，非常适合低功耗或电池供电系统使用。
　　在封装方面，HM628512CLTTI7 采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度电路板设计。

HM628512CLTTI7 主要应用于需要高速、低功耗和高可靠性的电子系统中。例如，它可以用于嵌入式控制器的缓存存储器、数据采集系统中的临时数据存储、工业自动化设备中的缓冲区管理等。此外，该芯片也广泛用于通信设备，如路由器和交换机中，作为快速存储和转发数据的临时存储器。由于其良好的温度适应性（-40°C 至 +85°C），HM628512CLTTI7 也适用于户外或工业环境下的电子产品。

IS62WV5128BLL-55NLI, CY62157VLL-55SXI, IDT71V416S08TG, AS6C6264-55PCN, A628512-55PCN