时间：2025/9/1 23:30:20
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H9HKNNNDGUMUAR是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）产品系列。该芯片主要用于高性能计算、图形处理、人工智能和服务器内存等需要极高带宽与低延迟的应用场景。HBM2是一种堆叠式内存架构，通过硅通孔（TSV）技术实现多个内存层的垂直连接，从而显著提高数据传输速率并减少功耗。
容量：2GB
内存类型：HBM2 SDRAM
数据速率：2.4Gbps
接口：HBM2专用接口
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
电压：1.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9HKNNNDGUMUAR具备多项先进的技术特性，使其在高性能计算和图形应用中表现出色。该芯片采用了堆叠式内存架构，通过硅通孔（TSV）技术实现多个内存层的垂直互连，提高了带宽并减少了信号延迟。每个HBM2堆栈由多个DRAM芯片组成，共享一个宽位宽的总线接口，从而实现极高的数据传输速率。
H9HKNNNDGUMUAR支持高达2.4Gbps的数据速率，带宽可达307GB/s，适用于需要大量数据处理的GPU、AI加速器和高端计算设备。此外，该芯片的功耗相比传统GDDR5内存显著降低，有助于提高能效和减少发热。
该芯片还具备高度集成的设计，能够在有限的物理空间内提供更大的内存容量。其封装形式为BGA，确保了良好的电气性能和热管理能力，适用于高密度PCB布局。
H9HKNNNDGUMUAR广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、数据中心服务器、游戏主机以及高端计算设备。在GPU领域，HBM2内存为图形渲染和计算任务提供必要的高带宽支持；在AI加速器中，该芯片能够满足大规模并行计算对内存带宽的极高要求；在数据中心和服务器系统中，HBM2内存有助于提升数据处理效率和降低功耗。
H9HKNNNBGMMLAR, H9HKNNNDGUMUBR
