容量：256Kbit (32K x 8)
　　组织方式：x8
　　电压供应：3.3V 或 5V（根据具体版本）
　　访问时间：10ns（典型值）
　　封装类型：TSOP、SOJ、TSOP-II 等多种工业标准封装
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步并行接口
　　输入/输出电平：TTL/CMOS兼容
　　待机电流：低功耗设计，典型值低于10mA
　　封装引脚数：52引脚

GMS81C2020-HI017 Q 的核心特性之一是其高速访问能力，访问时间低至10ns，使其适用于对时序要求较高的系统。此外，该芯片支持多种电压供应选项，包括3.3V和5V，这使其能够兼容不同代际的系统设计，同时满足低功耗需求。该SRAM具有宽泛的工作温度范围，通常为-40°C至+85°C，适合工业级应用环境。
　　该芯片还具备良好的抗干扰能力，采用CMOS工艺制造，功耗低且稳定性高。在待机模式下，其电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。封装方面，GMS81C2020-HI017 Q 提供了多种标准封装选项，如TSOP（薄型小外形封装）、SOJ（小外形J引脚封装）和TSOP-II，便于在PCB上布局并满足不同的机械设计需求。
　　另外，该SRAM具有兼容性强的优点，支持与多种微处理器、控制器以及逻辑电路直接连接，简化了系统集成过程。芯片内置地址和数据缓冲器，提升了数据传输的稳定性和效率。

GMS81C2020-HI017 Q 广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的系统中。典型应用包括网络设备中的数据缓冲区、工业控制系统中的实时数据处理、嵌入式系统的程序存储器扩展、消费类电子产品中的图像缓存等。此外，它也常用于通信模块、测试设备、医疗设备以及车载电子系统中，提供可靠的数据存储解决方案。

ISSI IS61LV25616-10B4I
　　Cypress CY62148EVLL
　　Alliance AS6C25616-10LLN
　　Renesas IDT71V124SA10PFG