容量：8Gb（1GB）
　　内存类型：LPDDR4
　　工作电压：1.1V / 0.6V
　　数据传输速率：3200Mbps
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：130-ball
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9HCNNNBTUMLNR-NLH是一款高性能的低功耗DRAM芯片，其核心特性之一是低电压设计，主电压为1.1V，辅助电压为0.6V，这有助于降低整体功耗并提高能效，特别适合移动设备和电池供电系统。该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，能够满足高带宽应用的需求，例如高清视频处理、图形加速和多任务处理。
　　该芯片采用了先进的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有130个引脚，有助于减少封装尺寸并提高信号完整性。此外，H9HCNNNBTUMLNR-NLH支持多种低功耗模式，如预充电节能模式和深度掉电模式，可在不使用时显著降低功耗。
　　其高容量8Gb（1GB）存储空间使其适用于需要大量内存的应用，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和车载信息娱乐系统（IVI）。同时，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的温度适应能力，可在各种环境下稳定运行。

H9HCNNNBTUMLNR-NLH广泛应用于对性能和功耗有严格要求的电子设备。常见应用场景包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）以及高性能计算模块。该芯片的高带宽和低功耗特性使其成为图形处理、视频播放、多任务处理等高性能任务的理想选择。此外，它也适用于需要长时间运行且依赖低功耗设计的物联网（IoT）设备。

H9HKNNNCTUMUUR-NLH