容量：8GB（64Gb）
　　类型：LPDDR4X SDRAM
　　封装类型：BGA
　　工作电压：1.1V
　　数据速率：4266 Mbps
　　接口类型：并行
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：根据具体封装形式而定，一般适用于移动设备的小型化设计

H9HCNNN8KUMLHR-NMER 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于移动设备以延长电池续航时间。该芯片采用了LPDDR4X技术，能够在保持高数据传输速率的同时降低电压和功耗，非常适合对能效要求较高的应用场景。此外，该型号的封装形式优化了空间利用率，适合紧凑型设备的设计。
　　另一个显著特性是其高数据传输速率，达到了4266 Mbps，这使得该芯片能够支持高性能计算和高带宽需求的应用，如高清视频处理、多任务处理和游戏等。高速的内存访问能力也能够显著提升设备的整体响应速度。
　　H9HCNNN8KUMLHR-NMER 还具备良好的稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内（-40°C 至 +85°C）正常工作，确保设备在各种环境条件下都能稳定运行。这种特性使其适用于多种工业和消费类电子产品。
　　另外，该芯片支持多种刷新模式和低功耗模式，例如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），这些功能进一步降低了芯片的功耗，并在设备处于待机状态时节省电能。

H9HCNNN8KUMLHR-NMER 主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动设备，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动计算平台。此外，该芯片也适用于嵌入式系统、工业控制设备和车载电子系统，尤其是在对内存带宽和能耗管理有较高要求的应用场景中。由于其高速数据传输能力和稳定性，该芯片还可以用于图形处理、人工智能边缘计算和高性能计算模块。

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