PG12GAS23 时间：2025/9/12 14:41:43 阅读：13

PG12GAS23 是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压和快速开关性能，适合用于电源转换、电机驱动、DC-DC转换器以及各种高功率电子系统。

参数

类型：功率MOSFET
　　结构：N沟道
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值0.45Ω
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

PG12GAS23 具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其漏源电压高达1200V，能够承受较高的电压应力，适用于高压系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热性能，可在高温环境下稳定运行。器件还具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。最后，其封装形式为TO-247，便于散热和安装。
　　PG12GAS23 还具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。栅极驱动电压范围宽，支持+12V至+20V之间的驱动电压，提高了设计灵活性。此外，该器件的可靠性高，适用于工业级和汽车级应用环境。其制造工艺符合国际标准，确保了器件的稳定性和一致性。

应用

PG12GAS23 主要用于需要高电压和高功率处理能力的电路中。常见应用包括AC-DC电源转换器、DC-DC降压或升压变换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。此外，该MOSFET也适用于电动汽车充电系统、智能电网设备以及高功率LED照明驱动电路。由于其高可靠性和优良的热性能，PG12GAS23 也可用于严苛环境下的电子系统，如航空航天和轨道交通控制设备。