容量：256M x 16
　　 类型：DRAM
　　 电压：1.2V / 1.5V（根据具体配置）
　　 速度等级：1600MHz / 1866MHz / 2133MHz等
　　 封装类型：FBGA
　　 引脚数：96
　　 存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　 工作温度范围：0°C 至 +70°C

H9HCNNN4KUMLHR-NME芯片具备多项先进特性，首先是其高容量和高带宽特性，支持256M x 16的存储配置，能够提供高达2133Mbps的数据传输速率，适用于需要大量内存带宽的应用场景。其次是其低功耗设计，支持多种节能模式，包括自刷新（Self-Refresh）、深度掉电（Deep Power-Down）和自动温度补偿（Auto Temperature Compensation）等，有助于降低整体系统功耗。
　　此外，H9HCNNN4KUMLHR-NME还支持多种错误检测和纠正功能，如ECC（错误校正码）功能，可有效提高系统的稳定性和数据完整性。该芯片还具备良好的兼容性，支持与多种主流内存控制器和处理器平台的无缝连接。
　　在封装方面，H9HCNNN4KUMLHR-NME采用96引脚的FBGA封装技术，具有较小的封装尺寸和较高的封装密度，适合在高密度PCB布局中使用。同时，其工作温度范围为0°C至70°C，存储温度范围为-40°C至85°C，能够适应多种复杂的工作环境。

H9HCNNN4KUMLHR-NME芯片广泛应用于服务器和数据中心的内存模块，如DDR4 RDIMM、UDIMM和SO-DIMM等，适用于高性能计算（HPC）、云计算和虚拟化环境。此外，该芯片也可用于高端网络设备，如路由器、交换机和防火墙，提供高速数据缓存和处理能力。
　　在工业控制领域，H9HCNNN4KUMLHR-NME可用于工业计算机、自动化控制系统和嵌入式设备，满足工业级高可靠性和长期稳定运行的需求。同时，该芯片也适用于消费类电子产品，如高端笔记本电脑、台式机和游戏主机，提供更快的内存访问速度和更低的功耗。

H9HCNNN4KUMLHR-NME的替代型号包括H9HCNNN4KUMUBC-NME、H9HCNNN4KUMUBC-NE和H9HCNNN4KUMUBC-NME。这些型号在性能和封装上与H9HCNNN4KUMLHR-NME相近，可根据具体应用需求进行选择。