L1SS355T1G 时间：2025/5/14 16:41:33 阅读：2

L1SS355T1G 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制二极管（TVS 二极管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件主要设计用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及其他过电压事件的损害。其单向结构使其非常适合于直流电源线、数据线和信号线等应用场景，能够为电路提供高效的瞬态电压防护。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管
　　工作电压（VRWM）：33V
　　击穿电压（VBR）：35.5V
　　最大箝位电压（VC）：60.2V
　　峰值脉冲电流（IPP）：97A
　　静态漏电流（ID）：1μA（最大值，在VRWM下）
　　响应时间：1ps
　　封装形式：DO-214AC (SMA)
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

L1SS355T1G 具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内将过电压箝位到安全水平，从而保护下游电路免受损坏。
　　该器件拥有低电容特性，不会显著影响信号完整性，同时具有超快的响应时间，确保及时捕捉瞬态事件。
　　此外，它采用坚固耐用的 DO-214AC 封装，适合表面贴装工艺，具备良好的散热性能和机械稳定性。
　　L1SS355T1G 还通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车级应用环境，能够在极端温度条件下保持稳定性能。

应用

L1SS355T1G 广泛应用于各种需要过电压保护的场合，包括但不限于以下领域：
　　1. 汽车电子系统中的负载突降保护。
　　2. 工业控制设备的数据线和信号线保护。
　　3. 通信设备中的端口保护，例如 RS-232、RS-485 和 USB 接口。
　　4. 家用电器和消费类电子产品中的电源输入保护。
　　5. LED 驱动器和其他敏感电子组件的瞬态电压防护。