时间：2025/9/1 14:45:39
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H9DPAGA3JJMCGR-KDM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有较高的集成度和稳定性，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等领域。
容量：4GB（32Gb）
类型：DRAM LPDDR4
电压：1.1V / 0.6V
频率：3200Mbps
封装：BGA
数据宽度：16位
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9DPAGA3JJMCGR-KDM 芯片采用先进的DRAM制造工艺，具备出色的低功耗性能，特别适合对电池寿命要求严格的移动设备使用。其LPDDR4标准支持高达3200Mbps的数据传输速率，显著提高了数据处理能力，有助于提升设备的整体性能。此外，该芯片的16位数据宽度设计在保证性能的同时，降低了封装尺寸和成本，非常适合空间受限的应用场景。
该芯片还具备良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种复杂的使用环境。BGA封装技术不仅提高了信号完整性，还增强了热管理和机械稳定性，进一步提升了芯片的可靠性和耐用性。
H9DPAGA3JJMCGR-KDM 在设计上兼顾了高性能与低功耗，是现代高端移动设备和嵌入式系统的理想选择。其优异的性能指标和广泛的应用兼容性，使其成为许多主流设备厂商的首选存储解决方案。
H9DPAGA3JJMCGR-KDM 广泛应用于各种高性能移动设备和嵌入式系统中，如高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备以及车载信息娱乐系统等。此外，该芯片也可用于需要高速内存支持的工业控制设备、网络设备和消费类电子产品中，满足对存储性能和能效的高要求场景。
H9DPAGA4GAMCGR-KDM, H9DPAGA4GBMCGR-KDM, H9DPCRC8GAMCJR-KDM
