时间：2025/8/15 15:47:02
阅读：25
NCE028N30Q是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由中国厂商南京半导体（Nanjing Semiconductor）生产。该器件设计用于高电流、高功率应用，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热稳定性，适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统等高频功率转换电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：28A（@Tc=100℃）
功耗（Pd）：120W
导通电阻（Rds(on)）：≤0.075Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-263（表面贴装）或TO-220（通孔）
NCE028N30Q具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流工作下的导通损耗，提高了系统效率。
该器件采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定运行。
此外，NCE028N30Q具备较高的栅极击穿电压（±30V），增强了在复杂电磁环境中工作的可靠性。
其封装形式支持表面贴装（TO-263）或通孔安装（TO-220），便于在不同类型的电路板设计中使用，适用于自动化生产流程。
该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源、同步整流、马达驱动等对开关速度要求较高的应用场合。
NCE028N30Q广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源、电动工具、电动车辆控制系统、工业电机驱动和电池管理系统等。
由于其具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，该器件在需要高效能转换的系统中尤为受欢迎。
此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，NCE028N30Q也常用于功率开关和能量管理模块中，确保系统稳定、高效运行。
SiHF30N60E、STP28NM50N、IRF3205、FDP028N30Q、FDS6680、NCE028N30K
