时间：2025/9/2 6:29:33
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H9DKNNN2GJMPER-NEM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM芯片。该芯片主要用于高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中，提供大容量和高速数据存储能力。该型号属于LPDDR4X（低功耗双倍数据速率第四代增强型）内存系列，具备较高的数据传输速率和能效比，适用于现代移动设备对内存性能和功耗的严格要求。
容量：2GB（该型号可能为封装组合的一部分）
内存类型：LPDDR4X SDRAM
封装类型：FBGA
数据速率：4266 Mbps（具体速率可能因设备配置而异）
电压：1.1V（核心电压VDD），0.6V（辅助电压VDDQ）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：根据具体封装形式可能为8.0mm x 10.5mm或其他标准尺寸
接口：JEDEC标准接口
H9DKNNN2GJMPER-NEM 具备多项先进特性，包括高速数据传输能力、低功耗设计、高集成度和出色的稳定性。其 LPDDR4X 技术使其在数据传输速率方面表现优异，同时保持较低的功耗，从而延长设备电池寿命。该芯片支持多种节能模式，如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），以进一步优化功耗。此外，该芯片采用先进的封装技术，确保在高密度应用中的可靠性和稳定性。
该芯片还具备良好的兼容性，能够与主流的应用处理器（AP）和移动平台配合使用，提供高效的数据处理能力。其 JEDEC 标准接口设计使其易于集成到各种移动设备中。H9DKNNN2GJMPER-NEM 采用高可靠性的制造工艺，能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费级应用场景。
H9DKNNN2GJMPER-NEM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及其他需要高性能和低功耗内存的便携式电子产品。由于其高速数据传输能力和节能特性，该芯片特别适用于需要大量数据处理和图形渲染的场景，如高清视频播放、3D游戏、AI加速计算和多任务处理等。此外，该芯片也可用于一些嵌入式系统和工业控制设备中，提供稳定可靠的内存支持。
H9HKNNN2GJMPER-NEM, H9HKNNN2GJMRPR-NEM, H9DKNNN2GJMAWR-NEM
