您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0402Y271MXAAC31G

GA0402Y271MXAAC31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:38:38 查看 阅读:9

GA0402Y271MXAAC31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高频低噪声放大器芯片,专为射频和微波应用设计。该器件具有优异的低噪声性能和高增益特性,非常适合用于卫星通信、雷达系统、无线基础设施以及其他需要高性能射频信号放大的领域。
  该芯片采用小型化的封装形式,便于集成到紧凑型模块中,同时具备良好的稳定性和可靠性。

参数

型号:GA0402Y271MXAAC31G
  工作频率范围:2 GHz 至 4 GHz
  增益:20 dB ± 0.5 dB
  噪声系数:1.5 dB 典型值
  输入回波损耗:≥12 dB
  输出回波损耗:≥10 dB
  最大输出功率(P1dB):+22 dBm
  电源电压:+5 V
  工作电流:约 120 mA
  封装形式:QFN-8

特性

GA0402Y271MXAAC31G 的主要特点是其卓越的射频性能,具体表现为以下几点:
  1. 在 2 GHz 到 4 GHz 频率范围内提供稳定的高增益和低噪声表现。
  2. 内置匹配网络,简化了外部电路设计,减少了外围元件数量。
  3. 具有良好的线性度和较高的输出功率能力,适用于多种复杂环境下的信号放大需求。
  4. 封装小巧,适合高密度集成。
  5. 工作温度范围宽广(-40°C 至 +85°C),适应各种恶劣环境下的使用要求。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 卫星通信系统的前端射频模块。
  2. 雷达接收机中的低噪声放大器部分。
  3. 微波链路设备以及点对点无线电通信系统。
  4. 测试与测量仪器中作为高性能放大器组件。
  5. 其他需要高频信号处理的无线通信基础设施。

替代型号

GA0402Y271MHAAC31G
  GA0402Y271LXAAC31G

GA0402Y271MXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-