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STD47N10F7AG 发布时间 时间:2025/6/25 9:08:19 查看 阅读:4

STD47N10F7AG 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沃特功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-220FP 封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域,具有低导通电阻和高开关速度的特点,可有效提高系统效率并降低功耗。
  这款 MOSFET 适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备中。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关时间:典型值 t_on=39ns,t_off=47ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

STD47N10F7AG 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 时仅为 1.5mΩ,有助于降低传导损耗。
  2. 高额定电流能力,支持高达 47A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,具备较低的栅极电荷和快速开关时间,减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围,能够适应恶劣的工作环境,确保长期可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 具备出色的热稳定性,适合高功率密度的应用场景。

应用

STD47N10F7AG 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器,用于高效的电压调节。
  3. 电机驱动电路,控制直流或无刷电机的速度和方向。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换元件。
  6. 各种高电流应用场合,如 UPS 和逆变器。
  其高性能和可靠性使得它成为众多电力电子设计的理想选择。

替代型号

STD47N10F7,IRFZ44N,FDP55N10

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STD47N10F7AG产品

STD47N10F7AG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥13.51000剪切带(CT)2,500 : ¥6.18331卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)45A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)18 毫欧 @ 22.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1640 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)60W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63