H9DA4GH4JJBMCR-4EM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、移动设备以及其他需要大容量非易失性存储的场合。H9DA4GH4JJBMCR-4EM 提供了较高的读写速度和稳定性,适合于高性能存储需求。
容量:4GB
封装类型:TSOP
接口类型:ONFI 2.3
工作电压:2.7V - 3.6V
读取速度:最高50MB/s
写入速度:最高20MB/s
擦除时间:块擦除时间典型值为2ms
工作温度范围:-40°C至+85°C
H9DA4GH4JJBMCR-4EM NAND闪存芯片具有多项显著特性。首先,它采用ONFI 2.3接口标准,确保了与各种控制器的兼容性,并支持高速数据传输。其次,该芯片具备较高的耐用性和可靠性,支持多达10万次的擦写周期(P/E Cycle),适用于频繁读写的应用场景。
此外,H9DA4GH4JJBMCR-4EM具有低功耗设计,适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性,并增强抗干扰能力。芯片内部集成了ECC(错误校正码)功能,可自动检测并纠正数据错误,提升数据完整性。
在数据保持方面,该芯片在常温下可保持数据长达10年,确保长期存储的可靠性。同时,它支持多种高级功能,如坏块管理、动态磨损均衡等,有助于延长使用寿命并优化性能。
H9DA4GH4JJBMCR-4EM 主要应用于需要高容量非易失性存储的嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品(如MP3播放器、数码相机)、网络设备、医疗仪器以及车载电子系统。由于其高性能和高可靠性,该芯片也广泛用于固态硬盘(SSD)和USB存储设备中,作为主存储介质。
在工业自动化领域,该芯片可用于存储程序代码、配置数据和实时采集的数据。在车载系统中,它适用于车载导航、行车记录仪等设备。此外,在物联网(IoT)设备中,H9DA4GH4JJBMCR-4EM也能提供稳定可靠的数据存储支持。
H9DA4GH4JDMCJR-4EM, H9DA4GH4JAMCLR-4GM