时间：2025/9/2 10:45:04
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H9DA4GH4JJBMCR-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备以及其他需要大容量非易失性存储的场合。H9DA4GH4JJBMCR-4EM 提供了较高的读写速度和稳定性，适合于高性能存储需求。
容量：4GB
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
读取速度：最高50MB/s
写入速度：最高20MB/s
擦除时间：块擦除时间典型值为2ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9DA4GH4JJBMCR-4EM NAND闪存芯片具有多项显著特性。首先，它采用ONFI 2.3接口标准，确保了与各种控制器的兼容性，并支持高速数据传输。其次，该芯片具备较高的耐用性和可靠性，支持多达10万次的擦写周期（P/E Cycle），适用于频繁读写的应用场景。
此外，H9DA4GH4JJBMCR-4EM具有低功耗设计，适合电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并增强抗干扰能力。芯片内部集成了ECC（错误校正码）功能，可自动检测并纠正数据错误，提升数据完整性。
在数据保持方面，该芯片在常温下可保持数据长达10年，确保长期存储的可靠性。同时，它支持多种高级功能，如坏块管理、动态磨损均衡等，有助于延长使用寿命并优化性能。
H9DA4GH4JJBMCR-4EM 主要应用于需要高容量非易失性存储的嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品（如MP3播放器、数码相机）、网络设备、医疗仪器以及车载电子系统。由于其高性能和高可靠性，该芯片也广泛用于固态硬盘（SSD）和USB存储设备中，作为主存储介质。
在工业自动化领域，该芯片可用于存储程序代码、配置数据和实时采集的数据。在车载系统中，它适用于车载导航、行车记录仪等设备。此外，在物联网（IoT）设备中，H9DA4GH4JJBMCR-4EM也能提供稳定可靠的数据存储支持。
H9DA4GH4JDMCJR-4EM, H9DA4GH4JAMCLR-4GM
