H9DA4GH2GJAM 时间：2025/9/2 9:17:51 阅读：9

H9DA4GH2GJAM是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，属于嵌入式存储器类别，广泛用于智能手机、平板电脑以及其他嵌入式系统中。该芯片的容量为4GB，采用ONFI 2.3接口标准，支持高速数据读写操作，具备良好的耐用性和稳定性。其封装形式为BGA，适用于紧凑型电子设备的设计。

参数

容量：4GB
　　接口标准：ONFI 2.3
　　封装类型：BGA
　　电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约为2ms
　　存储结构：NAND Flash

特性

H9DA4GH2GJAM是一款高性能的NAND闪存芯片，具有4GB的存储容量，适用于多种嵌入式应用场景。其采用ONFI 2.3接口标准，能够提供较高的数据传输速率，读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，满足大多数嵌入式设备对存储性能的需求。芯片的电压范围为2.7V至3.6V，具备良好的电源适应能力，能够在不同工作条件下稳定运行。
　　此外，H9DA4GH2GJAM支持块擦除功能，擦除时间约为2ms，提升了数据管理的效率。其BGA封装形式不仅节省空间，还增强了抗干扰能力，适合用于高密度PCB设计。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，具备较强的稳定性和可靠性。
　　该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读写过程中自动检测和纠正错误，提升数据存储的可靠性。同时，其支持坏块管理功能，能够自动标记和跳过坏块，延长使用寿命并提升系统稳定性。

应用

H9DA4GH2GJAM主要用于嵌入式系统的存储扩展，广泛应用于智能手机、平板电脑、工业控制设备、车载导航系统、智能穿戴设备以及其他需要大容量非易失性存储的电子产品中。由于其高性能和小尺寸封装，特别适合空间受限但需要较高存储容量和稳定性的应用场景。
　　在智能手机和平板电脑中，H9DA4GH2GJAM可用于存储操作系统、应用程序和用户数据，提供稳定的读写性能。在工业控制设备中，该芯片可作为主存储器，支持系统运行和数据存储，确保设备在恶劣环境下的稳定运行。车载导航系统中，该芯片可用于存储地图数据和系统程序，支持快速启动和数据访问。
　　此外，H9DA4GH2GJAM还可用于智能穿戴设备，如智能手表和健康监测设备，满足对小型化和低功耗的需求。由于其支持ECC和坏块管理功能，也适用于需要高可靠性的医疗设备和安防监控系统。