时间：2025/9/1 23:31:19
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H9DA2GH1GHABR-4EM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的NAND闪存芯片。这款存储器芯片设计用于需要高密度存储解决方案的设备，例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和固态硬盘（SSD）。它具有较高的存储容量和较快的读写速度，同时支持多种错误校正和数据管理功能，以确保数据的可靠性和完整性。
容量：2GB
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
读取速度：50MB/s
写入速度：20MB/s
封装类型：TSOP
引脚数：52
工艺技术：25nm
H9DA2GH1GHABR-4EM NAND闪存芯片具备多项先进的特性和技术优势。其2GB的存储容量适用于多种嵌入式存储应用，同时采用了25nm工艺技术，以实现更高的存储密度和更低的功耗。该芯片支持ONFI 2.3接口标准，提供50MB/s的读取速度和20MB/s的写入速度，能够满足高速数据存取的需求。
此外，H9DA2GH1GHABR-4EM内置错误校正码（ECC）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。它还支持坏块管理、磨损均衡等技术，以延长芯片的使用寿命并优化性能。其TSOP封装形式和52引脚设计，使其适用于紧凑型电子设备的设计，具有良好的热稳定性和电气性能。
H9DA2GH1GHABR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多种需要非易失性存储解决方案的电子设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、工业计算机、车载导航系统以及物联网（IoT）设备。由于其较高的存储容量和较快的读写速度，这款芯片非常适合用于需要频繁读写操作的场景，如操作系统存储、应用程序运行和用户数据保存。
H9DA2GH1GDBAR-4EM, H9DA5GH2GABAR-4GM, H9DA5GH2GAMBR-4GM
