NCEP40T11G是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,采用常关型(Enhancement Mode)设计。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高耐压特性,适用于高频AC-DC转换器、电源适配器、充电器以及其他高效率电源应用领域。
由于其卓越的性能,NCEP40T11G能够显著降低开关损耗并提高整体系统效率,同时支持更小体积的设计,满足现代电子设备对紧凑性和能效的需求。
类型:增强型氮化镓功率晶体管
耐压:650V
导通电阻:110mΩ
最大漏极电流:40A
栅极电荷:70nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247-3L
NCEP40T11G具备以下主要特性:
1. 高击穿电压:650V,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻:仅110mΩ,在高电流条件下减少功耗。
3. 快速开关能力:极低的开关时间和栅极电荷(70nC),有效降低开关损耗。
4. 热性能优异:采用TO-247-3L封装,散热效果好,可承受更高功率密度。
5. 增强型设计:默认关闭状态,易于驱动且安全可靠。
6. 宽广的工作温度范围:从-55℃到+150℃,适应各种极端条件。
NCEP40T11G广泛应用于以下领域:
1. 高频AC-DC转换器:如笔记本电脑适配器、手机快充等。
2. 开关电源(SMPS):用于工业设备或消费类电子产品中的高效电源管理。
3. 电机驱动:为无刷直流电机提供高效的驱动方案。
4. 太阳能逆变器:优化能量转换效率。
5. 无线充电设备:支持更高频率操作以减小磁性元件尺寸。
6. 其他高效率、高功率密度的应用场景。
NCEP40T13G, NCEP40T12G