时间：2025/9/2 4:50:27
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H9DA2GG51HMMBR-46M 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款存储芯片专为高性能和高可靠性而设计，广泛应用于移动设备、嵌入式系统和固态存储设备中。该器件采用BGA封装形式，具有高集成度和较小的体积，适合对空间要求较高的应用环境。
类型：NAND Flash
容量：256MB（2Gb）
电压范围：2.7V至3.6V
接口：ONFI 1.0兼容
封装类型：BGA
封装尺寸：48-ball BGA
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据读取速度：最高可达50MB/s
数据写入速度：最高可达20MB/s
H9DA2GG51HMMBR-46M NAND闪存芯片具备多项高性能特性。首先，它采用了ONFI（Open NAND Flash Interface）标准接口，确保了与各种控制器的兼容性和互操作性，使得系统设计更加灵活。其次，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测并纠正数据错误，从而提升数据的可靠性和存储稳定性。此外，该器件的封装体积小巧，适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。
在耐久性和数据保持方面，H9DA2GG51HMMBR-46M表现出色。它支持较高的擦写周期（P/E周期），能够满足嵌入式系统和工业控制设备长时间运行的需求。同时，该芯片的工作温度范围较宽，可在-40°C至+85°C的环境下稳定工作，适用于工业级和车载应用。此外，其低功耗设计也有助于延长电池供电设备的续航时间。
该芯片广泛应用于各种嵌入式存储系统，如智能手机、平板电脑、数码相机和便携式多媒体播放器。此外，它还适用于工业控制设备、车载导航系统、医疗电子设备以及各类固态存储卡和USB闪存盘。由于其高可靠性和宽温工作特性，也常用于需要稳定存储解决方案的工业和汽车电子领域。
H9DA2GH51HMMBR-46M, H9DA2GH51GMMCR-46M
