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H9DA2GG1GJMMMR-4EM 发布时间 时间:2025/9/2 7:39:08 查看 阅读:4

H9DA2GG1GJMMMR-4EM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、消费类电子产品等。该型号的NAND闪存芯片基于先进的制造工艺,提供较高的存储密度和稳定的性能表现,适用于对存储容量和数据可靠性要求较高的应用场景。

参数

存储容量:2GB(NAND Flash)
  工艺制程:根据生产批次可能有所差异
  电压范围:1.8V至3.3V
  接口类型:ONFI 2.0兼容
  读取速度:最高可达50MB/s
  写入速度:最高可达20MB/s
  擦除速度:块擦除时间约2ms
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:52引脚

特性

H9DA2GG1GJMMMR-4EM NAND闪存芯片具备多项优秀的性能特点。
  首先,其存储容量为2GB,适用于需要较大存储空间但又不需要更高密度存储芯片的应用场景。该芯片采用ONFI 2.0兼容接口,确保与主流控制器的良好兼容性,便于系统集成和开发。
  其次,该芯片支持多种电压操作,包括1.8V和3.3V电源供应,提升了其在不同系统环境下的适应能力。此外,其高速读写性能使其在数据密集型应用中表现良好,读取速度最高可达50MB/s,写入速度最高可达20MB/s,满足嵌入式系统和消费类电子产品的性能需求。
  再者,H9DA2GG1GJMMMR-4EM具有较高的耐用性和数据保持能力,能够在复杂环境下稳定运行。其擦除时间较短,单个块擦除时间约为2ms,有助于提高整体存储系统的响应速度。
  最后,该芯片采用TSOP封装,52引脚设计,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种严苛环境条件下的电子设备。

应用

H9DA2GG1GJMMMR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多种需要非易失性存储的电子系统中。典型应用包括固态硬盘(SSD)控制器模块、嵌入式存储系统、智能卡、工业控制设备、车载导航系统、数字电视、机顶盒以及消费类电子产品如平板电脑和多媒体播放器等。
  在嵌入式系统中,该芯片可用于存储固件、操作系统、应用程序和用户数据,支持快速启动和高效运行。在工业自动化设备中,其高稳定性和宽温工作范围确保在恶劣环境下仍能可靠运行。此外,在车载电子系统中,该芯片能够提供持久的数据存储能力,适用于行车记录仪、车载娱乐系统等设备。
  对于消费类电子产品,该芯片的高性能和低功耗特性使其成为理想的存储解决方案,支持多媒体数据的快速读写和长期保存。

替代型号

H9DA2GH1GJMMMR-4EM, H9DA2GH2JAMMZR-EMC, H9DA2GH2JAMUMC-EMC

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