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IXFH12N100 发布时间 时间:2025/8/6 11:54:20 查看 阅读:31

IXFH12N100是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用TO-264封装,适用于多种工业和电源管理应用。IXFH12N100的额定漏极电流为12A,漏-源极电压为1000V,具备出色的导通性能和低开关损耗,使其成为高频开关电源、逆变器和马达控制的理想选择。

参数

漏极电流(Id):12A
  漏-源极电压(Vds):1000V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω @ Vgs=10V
  输入电容(Ciss):1900pF @ Vds=25V
  开关时间(ton/toff):55ns/110ns
  封装类型:TO-264

特性

IXFH12N100以其优异的电气特性和高可靠性著称。其高耐压能力(1000V Vds)确保其在高压系统中稳定运行。低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,该器件具备良好的热性能,能够在高温环境下可靠工作。IXFH12N100的快速开关特性(55ns开通时间和110ns关断时间)使其适用于高频开关电路,从而减小外围元件的尺寸并提升系统效率。
  该MOSFET的栅极驱动要求较低,能够在+10V至+20V的栅极电压范围内正常工作,简化了驱动电路的设计。同时,它具备良好的雪崩能量承受能力,增强了器件在极端条件下的耐用性。TO-264封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,从而确保在高功率应用中的长期稳定性。

应用

IXFH12N100广泛应用于各类高功率和高压电子系统,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC和DC/DC转换器,提供高效的功率转换能力。
  2. 逆变器:在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电机驱动系统中作为主开关元件。
  3. 马达控制:适用于高功率直流和交流马达控制应用,提供快速响应和高效能。
  4. 焊接设备:用于焊接电源中的功率开关,确保高可靠性和长寿命。
  5. 工业自动化:在工业控制和自动化设备中作为高电压开关使用。

替代型号

STF12N100M, IRGP10B120U, FGL12N100AMT, FDPF12N100

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IXFH12N100参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 欧姆 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs155nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件