时间：2025/9/1 16:12:51
阅读：21
IS61WV10248EEBLL-10TLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的存储容量为1兆位（1Mbit），组织形式为128K x 8位，适用于需要高性能和低功耗的系统应用。该器件采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问时间等优点，适用于网络设备、工业控制、通信设备、消费类电子产品等。
容量：1Mbit
组织形式：128K x 8
访问时间：10ns
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：54引脚LLP（Leadless Leadframe Package）
封装尺寸：10mm x 14mm
接口类型：异步SRAM
功耗：典型值50mA（待机模式下<10mA）
IS61WV10248EEBLL-10TLI 是一款高性能异步SRAM，具备快速访问时间（10ns），能够在高频率下稳定运行。其CMOS制造工艺确保了低功耗操作，同时提供高可靠性和稳定性。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适用于多种电源环境，并具有广泛的温度适应能力（-40°C至+85°C），适合工业级应用。此外，其54引脚LLP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省能力，适用于空间受限的设计场景。
该芯片还具备低待机电流特性，有助于延长便携设备的电池寿命。其异步接口设计简化了与微处理器或控制器的连接过程，无需时钟同步控制，提高了系统的兼容性和灵活性。IS61WV10248EEBLL-10TLI 的高集成度和成熟的设计使其成为许多嵌入式系统和实时应用中的理想选择。
IS61WV10248EEBLL-10TLI 广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的系统中。典型应用包括网络设备（如路由器和交换机）、通信设备（如基站和传输设备）、工业控制系统（如PLC和HMI）、测试测量仪器、医疗设备以及高性能消费电子产品（如打印机、扫描仪和智能家电）。由于其宽温范围和高可靠性，也常用于车载电子系统和户外设备中。
IS61WV10248EBLL-10TLI、IS61WV10248EBL-10BSI、CY62148EALL、IDT71V416SA、AS6C1008-10SIN
