时间：2025/9/2 3:00:39
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H9CKNNNDBTMTAR-NUH 是由SK Hynix生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具有高容量、高速度和低功耗的特点，适用于高端服务器、网络设备、工业控制系统以及消费类电子产品等多种应用场景。作为一款高可靠性的存储器解决方案，H9CKNNNDBTMTAR-NUH广泛用于需要高性能和稳定性的电子系统中。
类型：DRAM
容量：4GB
封装：FBGA
工作电压：1.2V
接口类型：x16
时钟频率：800MHz
数据速率：1600Mbps
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9CKNNNDBTMTAR-NUH 是一款基于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）技术的DRAM芯片，具备出色的性能和能效。其主要特性包括高速数据传输能力、低功耗设计、高集成度和优异的稳定性。该芯片采用先进的封装技术，确保在高频率下依然保持良好的信号完整性和电气性能。此外，H9CKNNNDBTMTAR-NUH 支持多种工作模式，包括自刷新、深度掉电模式等，以满足不同应用场景下的功耗管理需求。
这款DRAM芯片在设计上优化了功耗管理，使其在高性能运行的同时保持较低的能耗，非常适合用于对电池寿命和散热有严格要求的便携式设备。其高带宽和低延迟特性也使其成为图形处理、数据密集型应用和高速缓存的理想选择。
另外，H9CKNNNDBTMTAR-NUH 通过严格的测试和验证，确保其在各种环境条件下都能提供稳定可靠的操作。其宽广的工作温度范围使其能够在工业级环境中运行，适用于恶劣环境下的设备和系统。
H9CKNNNDBTMTAR-NUH 常用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑、嵌入式系统、服务器内存模块、网络交换设备、工业控制系统、汽车电子以及高性能计算设备等。由于其高速度和低功耗特性，该DRAM芯片广泛应用于需要高效数据处理和多任务并行执行的系统中。
H9CPNNNDBTMTAR-NUH, H9CKNNNDCBMTAR-NUH
