时间：2025/7/22 13:35:48
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STD45NF75T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）、优异的开关性能和热稳定性，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
漏极电流（Id）：45A（@Tc=100℃）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V~4V
导通电阻（Rds(on)）：最大18mΩ（@Vgs=10V）
耗散功率（Ptot）：160W
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-220AB
STD45NF75T4具有多项先进特性，使其在高功率和高频应用中表现出色。
首先，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其最大导通电阻仅为18mΩ，在Vgs=10V时能够确保高效的电流传输。
其次，该器件具有优异的热管理性能，能够在高电流和高温度环境下稳定工作。其最大耗散功率为160W，支持在高功率密度应用中长期稳定运行。此外，该MOSFET的工作温度范围宽达-55℃至175℃，适合在恶劣环境下使用，如汽车电子和工业控制设备。
此外，该MOSFET具备快速开关能力，开关损耗较低，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其栅极阈值电压范围为2.5V~4V，支持与标准逻辑电平驱动器兼容，便于集成在各种控制系统中。
最后，该器件采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能和机械强度，便于安装和散热设计，广泛应用于电源、电机驱动和电池管理系统等领域。
STD45NF75T4广泛应用于多种高功率和高频场景。
首先，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于同步整流、初级侧开关和次级侧整流电路，显著提高电源效率并减少热量产生。
其次，在DC-DC转换器中，它可作为主开关或同步整流开关，适用于Buck、Boost和Flyback拓扑结构，广泛用于通信电源、服务器电源和工业电源系统。
此外，该器件在电机控制系统中表现出色，可用于H桥驱动、无刷直流电机控制和电动工具驱动电路。
在汽车电子领域，该MOSFET适用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器和车载DC-DC转换器，满足汽车电子对可靠性和耐久性的高要求。
同时，它也可用于电池管理系统（BMS），用于控制充放电路径和均衡电路，适用于储能系统和电动汽车电池组管理。
IRF45N75K, STP45NF75T4, FDP45N75
