ME15N75D 时间：2025/6/29 13:47:17 阅读：5

ME15N75D 是一款基于硅材料的 N 沪 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
　　ME15N75D 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等标准封装，便于安装和散热设计。由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 在工业控制、消费电子以及通信设备中都有广泛应用。

参数

最大漏源电压：75V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：40nC
　　开关时间：t_on=18ns, t_off=36ns
　　功耗：230W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

ME15N75D 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用场合，例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
　　3. 强大的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的耐用性和安全性。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　5. 内置反向恢复二极管（体二极管），优化了续流路径，降低了开关噪声和振荡风险。
　　6. 宽广的工作温度范围使其适应各种恶劣环境条件。

应用

ME15N75D 可用于以下应用场景：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
　　2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
　　3. 多种负载切换和保护电路中的开关元件。
　　4. LED 驱动器和逆变器的核心功率器件。
　　5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
　　6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。