容量：8Gb（1G x 8）
　　类型：DDR4 SDRAM
　　封装：BGA（球栅阵列封装）
　　电压：1.2V
　　时钟频率：3200Mbps
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　数据宽度：8位
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　接口类型：并行接口
　　组织结构：x8 I/O配置
　　刷新周期：64ms

H9CKNNNDATMUPR-NUHR具备多项高性能和可靠性特性。其DDR4架构相比前代DDR3提供了更高的带宽和更低的功耗，适用于高密度内存系统。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不同工作条件下保持数据完整性。封装方面采用BGA技术，提供更优的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB布局。此外，该芯片支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，在高温环境下可延长数据保持时间，提高系统稳定性。其低电压设计（1.2V）有助于降低整体功耗，适用于对能效要求较高的服务器和嵌入式系统。
　　在时序控制方面，该芯片支持多种延迟配置，允许系统根据性能需求进行优化。其数据输出时钟与读取操作同步，确保高速数据传输的稳定性。此外，H9CKNNNDATMUPR-NUHR还具备错误检测和纠正能力，适用于高可靠性应用场景。该芯片的地址/数据复用接口设计有助于减少引脚数量，简化PCB布线，同时保持高性能数据访问。

H9CKNNNDATMUPR-NUHR广泛应用于高性能计算（HPC）、服务器、企业级网络设备、工业控制、高端图形处理以及嵌入式系统等需要大容量高速内存的场景。由于其低功耗和高可靠性，该芯片也适用于对能效和稳定性要求较高的数据中心和边缘计算设备。

H9CKNN8DAMMUDR-NUHR，H9CQNNNDATMUPR-NUHR，H9CUH27C2TAMUR-NUHR