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IRF7703TRPBF 发布时间 时间:2025/7/2 15:28:32 查看 阅读:8

IRF7703TRPBF 是一款 N 没有逻辑控制的 P 没有增强型功率 MOSFET,属于 Infineon(英飞凌)公司旗下的产品。该器件采用 TOLL 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、工业控制等需要高效能功率管理的场景。
  此款 MOSFET 的主要特点是其优化的 RDS(on) 和栅极电荷特性,能够有效降低传导损耗和开关损耗,从而提高整体效率。此外,TOLL 封装具备出色的散热性能,支持更高的功率密度。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:245A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷(典型值):190nC
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7703TRPBF 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够减少功率损耗并提升效率。
  2. 高额定电流能力,支持高达 245A 的连续漏极电流。
  3. 优化的栅极电荷设计,降低了开关过程中的能量损耗。
  4. TOLL 封装提供卓越的热性能和电气性能,适用于高功率密度应用。
  5. 工作温度范围广,从 -55℃ 到 +175℃,适合各种恶劣环境下的使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

该器件适合用于多种高性能电力电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动车辆(EV/HEV)中的电机控制器
  3. 工业自动化设备中的伺服驱动器
  4. 太阳能逆变器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. LED 照明驱动电路
  这些应用场景充分利用了 IRF7703TRPBF 的高效率、大电流承载能力和良好的热管理特性。

替代型号

IRF7703TRPAG, IRF7704TRPBF

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IRF7703TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5220pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7703TRPBF-NDIRF7703TRPBFTR