LQW15AN3N9B00D 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率 MOSFET 芯片,采用 LFPAK88 封装形式。该芯片主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其 N 沟道设计使得它在多种电子设备中具有出色的性能表现。
这款功率 MOSFET 的特点在于它的超低导通电阻和快速开关特性,这使其成为许多高效能应用的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:176A
导通电阻(典型值):0.55mΩ
栅极电荷:24nC
输入电容:3800pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
LQW15AN3N9B00D 具有非常低的导通电阻,这可以显著降低功率损耗,从而提高系统的整体效率。同时,该器件的封装采用了 LFPAK88 技术,这种封装方式具备较低的寄生电感,有助于提升开关速度并减少开关损耗。
此外,LQW15AN3N9B00D 支持宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行。对于需要高可靠性和高效能的应用场合来说,这些特性显得尤为重要。
由于其快速开关能力和低 Qg(栅极电荷),此器件非常适合高频操作下的各种电源转换和电机控制应用。另外,其卓越的热性能也进一步增强了器件的耐用性。
LQW15AN3N9B00D 广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下方面:
- 开关模式电源 (SMPS)
- 电动车辆中的电机控制器
- 工业自动化中的伺服驱动器
- 笔记本电脑及平板设备的适配器
- 高效 DC-DC 转换模块
- 各类负载开关和保护电路
凭借其低导通电阻与高电流承载能力,该器件能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。
LQW15AN3N9B00DTR, LQW15AN3N9B00DS