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LQW15AN3N9B00D 发布时间 时间:2025/5/27 15:11:18 查看 阅读:12

LQW15AN3N9B00D 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率 MOSFET 芯片,采用 LFPAK88 封装形式。该芯片主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其 N 沟道设计使得它在多种电子设备中具有出色的性能表现。
  这款功率 MOSFET 的特点在于它的超低导通电阻和快速开关特性,这使其成为许多高效能应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:176A
  导通电阻(典型值):0.55mΩ
  栅极电荷:24nC
  输入电容:3800pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

LQW15AN3N9B00D 具有非常低的导通电阻,这可以显著降低功率损耗,从而提高系统的整体效率。同时,该器件的封装采用了 LFPAK88 技术,这种封装方式具备较低的寄生电感,有助于提升开关速度并减少开关损耗。
  此外,LQW15AN3N9B00D 支持宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行。对于需要高可靠性和高效能的应用场合来说,这些特性显得尤为重要。
  由于其快速开关能力和低 Qg(栅极电荷),此器件非常适合高频操作下的各种电源转换和电机控制应用。另外,其卓越的热性能也进一步增强了器件的耐用性。

应用

LQW15AN3N9B00D 广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电动车辆中的电机控制器
  - 工业自动化中的伺服驱动器
  - 笔记本电脑及平板设备的适配器
  - 高效 DC-DC 转换模块
  - 各类负载开关和保护电路
  凭借其低导通电阻与高电流承载能力,该器件能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。

替代型号

LQW15AN3N9B00DTR, LQW15AN3N9B00DS

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LQW15AN3N9B00D参数

  • 标准包装10,000
  • 类别电感器,线圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQW15A_00
  • 电感3.9nH
  • 电流750mA
  • 电流 - 饱和-
  • 电流 - 温升-
  • 类型空气芯体
  • 容差±0.1nH
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻(DCR)最大 70 毫欧
  • Q因子@频率25 @ 250MHz
  • 频率 - 自谐振10GHz
  • 材料 - 芯体空气
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 频率 - 测试100MHz