时间：2025/5/27 15:11:18
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LQW15AN3N9B00D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用 LFPAK88 封装形式。该芯片主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其 N 沟道设计使得它在多种电子设备中具有出色的性能表现。
这款功率 MOSFET 的特点在于它的超低导通电阻和快速开关特性，这使其成为许多高效能应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：176A
导通电阻（典型值）：0.55mΩ
栅极电荷：24nC
输入电容：3800pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
LQW15AN3N9B00D 具有非常低的导通电阻，这可以显著降低功率损耗，从而提高系统的整体效率。同时，该器件的封装采用了 LFPAK88 技术，这种封装方式具备较低的寄生电感，有助于提升开关速度并减少开关损耗。
此外，LQW15AN3N9B00D 支持宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +175°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。对于需要高可靠性和高效能的应用场合来说，这些特性显得尤为重要。
由于其快速开关能力和低 Qg（栅极电荷），此器件非常适合高频操作下的各种电源转换和电机控制应用。另外，其卓越的热性能也进一步增强了器件的耐用性。
LQW15AN3N9B00D 广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源 (SMPS)
- 电动车辆中的电机控制器
- 工业自动化中的伺服驱动器
- 笔记本电脑及平板设备的适配器
- 高效 DC-DC 转换模块
- 各类负载开关和保护电路
凭借其低导通电阻与高电流承载能力，该器件能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。
LQW15AN3N9B00DTR, LQW15AN3N9B00DS
