时间：2025/9/1 23:34:30
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H9CKNNNBPTARYR-NTH 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4X（低功耗双倍数据速率第4代增强版）内存系列，专为移动设备、嵌入式系统以及高性能计算设备设计，具备低功耗、高带宽和紧凑封装的特点。
类型：DRAM
型号：H9CKNNNBPTARYR-NTH
规格：4GB x16位
接口：LPDDR4X
频率：4266 Mbps
电压：1.1V
封装：BGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9CKNNNBPTARYR-NTH 采用先进的1x纳米制程技术制造，具备出色的稳定性和能效表现。其LPDDR4X接口支持高达4266 Mbps的数据传输速率，能够显著提升系统的数据处理能力。此外，该芯片在低电压下运行（1.1V），有助于降低功耗并延长设备电池续航时间，非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和高性能嵌入式设备中。
该型号采用紧凑的BGA（球栅阵列）封装，有助于节省PCB空间并提高电路板的集成度。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其在各种环境条件下都能保持稳定运行，适用于工业级应用和严苛环境中的设备。
这款DRAM芯片还支持多种节能模式，如自刷新（Self-Refresh）、深度掉电（Deep Power-Down）等，进一步增强了其在低功耗场景下的适应能力。其高带宽特性也使得它能够满足图形处理、多任务处理及大型应用程序运行的内存需求。
H9CKNNNBPTARYR-NTH 主要应用于高端智能手机、平板电脑、轻薄本、嵌入式系统以及需要高性能内存支持的工业设备。它特别适合用于需要高带宽、低功耗和大容量内存的场景，如图形渲染、视频处理、AI计算和多任务操作系统等。此外，该芯片也可用于车载信息娱乐系统、网络设备和智能穿戴设备中。
H9HKNNNCTPMUR-RFL, H9HP55A4BJA0RBR
