IFX1050GXUMA1 是英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能、高效率的 MOSFET 功率晶体管。该器件采用沟槽式技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合应用于高频开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
该产品属于 OptiMOS 系列,优化了动态和静态性能,能够在高功率密度应用中提供卓越的效率和可靠性。
型号:IFX1050GXUMA1
类型:N 沟道 MOSFET
封装:TO-Leadless (TOLL)
VDS(漏源极击穿电压):60 V
RDS(on)(导通电阻):4.5 mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
ID(连续漏极电流):120 A
Qg(栅极电荷):43 nC
EAS(雪崩能量):2.9 mJ
fSW(推荐工作频率):高达 1 MHz
结温范围:-55°C 至 +175°C
IFX1050GXUMA1 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用,降低开关损耗。
3. 出色的热性能,得益于 TO-Leadless 封装设计,能够有效散热。
4. 高电流处理能力,支持大功率应用场景。
5. 增强型雪崩能力和 robustness(稳健性),提高器件在恶劣条件下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特性使 IFX1050GXUMA1 成为高效率、高功率密度应用的理想选择。
IFX1050GXUMA1 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电机驱动电路,如 BLDC 电机控制器。
3. 工业逆变器和变频器。
4. 电动汽车充电设备。
5. DC-DC 转换器和升降压转换模块。
6. 太阳能微逆变器及其他可再生能源相关设备。
由于其优异的性能和可靠性,这款 MOSFET 在工业控制、汽车电子及消费类电子产品中都有广泛应用。
BSC092N06NS5, IRFB4110TRPBF, FDP097N06L