时间：2025/4/29 8:51:45
阅读：2
FDD3N40TM是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换应用。其封装形式通常为TO-220，便于散热和安装。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：3.1A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（Vgs=10V）：2.5Ω
总功耗：125W
结温范围：-55℃~+150℃
FDD3N40TM具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，支持高频工作环境。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下可靠运行。
5. 封装坚固耐用，便于表面贴装或插件使用。
该器件广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，用于控制小型直流或步进电机。
3. 逆变器电路，将直流电转换为交流电。
4. 各种保护电路，例如过流保护和短路保护。
5. 工业自动化领域中的负载切换和信号隔离。
IRFZ44N
STP36NF06
FQP17N50
