PDTC115EM 时间：2025/9/15 0:54:06 阅读：13

PDTC115EM 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的高压工艺制造。该器件专为高效率、高功率密度的开关应用而设计，适用于电源转换、马达控制、DC-DC 转换器以及负载开关等场合。PDTC115EM 具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流承载能力，能够在较高的开关频率下工作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 VDS：100V
　　最大栅源电压 VGS：±20V
　　最大连续漏极电流 ID：80A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 11.5mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散：200W（Tc）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

PDTC115EM MOSFET 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的封装技术，确保良好的热管理和高可靠性，即使在极端工作条件下也能保持稳定性能。
　　此外，PDTC115EM 具有较高的 dv/dt 抗扰度，可有效防止在高速开关过程中出现误开通现象，提升系统稳定性。
　　其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器或驱动 IC 配合使用，简化电路设计。
　　该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工况下的鲁棒性，延长了使用寿命。
　　由于其高性能和可靠性，PDTC115EM 适用于多种高功率应用，如服务器电源、电动汽车充电系统、工业逆变器和太阳能逆变器等。

应用

PDTC115EM 广泛应用于各类高功率开关电源系统中，包括但不限于：AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及新能源汽车的功率控制模块。
　　其高电流能力和低导通损耗使其成为高效率功率转换的理想选择。
　　在工业自动化和电机控制领域，该器件可作为高边或低边开关使用，实现对大功率负载的精确控制。
　　此外，PDTC115EM 在不间断电源（UPS）和储能系统中也常用于构建高效、可靠的功率拓扑结构。