时间：2025/9/1 18:39:32
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H9CKNNNBKTAT-DRNUH 是一款由SK海力士（SK Hynix）推出的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用高密度和低功耗设计，适用于现代计算机和嵌入式系统。这款DRAM芯片属于LPDDR4X系列，具备高速数据传输能力，同时在功耗管理方面进行了优化，使其特别适合用于移动设备、笔记本电脑以及高性能计算设备。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4X SDRAM
工作电压：1.1V（IO）/0.5V（核心）
数据传输速率：4266Mbps
封装类型：186-ball FBGA
温度范围：商业级（0°C 至 85°C）
接口标准：JEDEC兼容
H9CKNNNBKTAT-DRNUH 采用了先进的1ynm工艺技术，显著提升了芯片的性能与能效。其低功耗特性使其在高性能计算和移动设备中具有出色的电池续航能力。
该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，能够根据设备需求动态调整功耗，从而延长电池寿命。
此外，H9CKNNNBKTAT-DRNUH 支持多银行组（Multi-Bank Groups）架构，提供更高的数据吞吐能力，并通过命令/地址（CA）总线优化减少延迟，提升整体系统性能。
它还具备出色的信号完整性设计，支持更高的频率和稳定性，适用于高密度内存模块和高性能计算设备。
H9CKNNNBKTAT-DRNUH 主要用于高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑、服务器内存模块以及需要高性能和低功耗的嵌入式系统。其高速数据传输能力和节能设计使其成为5G通信设备、AI加速器和高性能计算平台的理想选择。
此外，该芯片也可用于高端游戏设备、车载信息娱乐系统以及工业自动化设备，满足复杂环境下的高性能需求。
H9CPNNNCEBDDR-DRNUH, H9CPCNNDCTMUMR, H9CXNNNCTMUMR-DRNUH
