时间：2025/8/24 22:34:14
阅读：8
FDA38N08是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，由ON Semiconductor（安森美半导体）制造。该器件专为高效率功率转换应用设计，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制。FDA38N08采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，同时保持了较小的封装尺寸，从而提高了功率密度和系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：38A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V）
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
FDA38N08具有多项先进的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具备高电流处理能力，能够在高温环境下稳定运行。此外，D2PAK封装具有优良的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，从而提高了器件的可靠性。FDA38N08还具有快速开关速度，减少了开关损耗，并且其坚固的沟槽MOSFET结构增强了器件的耐用性和稳定性。最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代环保电子产品的设计。
FDA38N08广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及汽车电子系统。在电源管理系统中，它被用于高效能的功率转换；在DC-DC转换器中，该器件用于提高电压转换效率；在同步整流器中，用于降低导通损耗并提高效率；在负载开关应用中，用于控制电源传输；在电机控制中，用于实现高效率的驱动控制；在汽车电子系统中，该器件用于应对高温和高功率需求。
FDMS86181、SiR862DP、IRF3808
