类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.5V 典型值
　　输入反向电压（VR）：3V
　　输入正向电流（IF）：60mA 最大值
　　输出集电极电流（IC）：100mA 最大值
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　电流传输比（CTR）：500% 最小值（典型测试条件IF=10mA, VCE=5V）
　　响应时间：上升时间/下降时间 ≈ 2μs / 3μs
　　隔离电压：5000VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：6-DIP（Dual In-line Package）

4N32-67的核心优势在于其高电流传输比（CTR），通常在500%以上，在输入电流较低的情况下仍能驱动较大的输出电流，这使得它在低功耗控制电路中表现出色。其内部采用LED与光电晶体管的组合结构，提供了良好的线性响应特性，可用于模拟信号的隔离传输，尽管更多情况下被用于数字开关信号的隔离。器件的输入与输出之间具有优异的电气隔离性能，隔离电压高达5000VRMS，能够有效防止地环路干扰、电压尖峰和电磁噪声对系统的影响，提升系统的安全性和稳定性。
　　该光耦的响应速度适中，上升和下降时间均在微秒级别，适用于中低频信号传输场景，如电源反馈回路、微控制器与继电器或可控硅的接口电路。其工作温度范围宽，从-55°C到+100°C，适合在工业级环境中长期运行。封装形式为标准6引脚DIP，便于手工焊接和PCB布局，兼容通孔安装工艺。此外，4N32-67具有良好的抗振动和机械稳定性，适用于工业自动化、电力控制和通信设备等严苛环境。
　　值得注意的是，由于其输出端为光电晶体管结构，增益受温度影响较大，在高温环境下CTR可能下降，因此在设计时需留有足够的余量以确保系统可靠性。同时，LED存在老化现象，长期使用后发光效率会降低，进而影响CTR，因此在高可靠性要求的应用中应考虑定期检测或选用更稳定的替代方案。尽管如此，4N32-67凭借其高性价比和成熟的技术，在许多传统电子系统中仍被广泛采用。

4N32-67常用于需要电气隔离的各种电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它被广泛用作反馈回路的隔离元件，将次级侧的电压调节信号传递到初级侧的PWM控制器，同时实现高低压之间的隔离，保障主控电路的安全。在工业控制领域，该光耦可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，隔离现场传感器或执行器与控制单元之间的信号，防止工业现场的高压或噪声干扰损坏控制系统。
　　此外，4N32-67也适用于微处理器系统的I/O隔离，例如在单片机与继电器、电机驱动器或固态继电器（SSR）之间构建隔离接口，避免大电流负载对敏感数字电路造成影响。在交流电源控制中，它可以作为触发电路的一部分，用于隔离微控制器与双向可控硅（TRIAC）的门极驱动信号，实现安全的调光或调速控制。
　　由于其具备一定的线性传输能力，4N32-67也可用于模拟信号的隔离放大电路，例如在隔离式传感器信号调理电路中传输小信号。然而，由于温度漂移和非线性特性，其在高精度模拟应用中逐渐被专用线性光耦（如HCNR201）取代。在通信接口中，如RS-232或RS-485隔离模块，4N32-67可用于实现数据线路的电气隔离，增强系统的抗干扰能力和安全性。总之，其应用覆盖电源、工业自动化、家电控制、仪器仪表等多个领域。

MOC8101
　　TIL113
　　4N35
　　PC817