时间：2025/9/2 0:07:12
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H9CKNNNBJTMPLR 是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于高端计算设备、服务器、工作站以及需要高速内存处理的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有较大的存储容量和快速的数据存取能力，能够满足现代计算机系统对内存性能的严苛要求。H9CKNNNBJTMPLR 是一种低电压、高带宽的DDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器）模块，适用于需要高稳定性和高效能的工业级设备。
容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB（具体容量视具体版本而定）
电压：1.2V
频率：2400MHz / 2666MHz / 3200MHz（具体频率因版本而异）
接口类型：SODIMM / UDIMM（具体取决于模块设计）
带宽：19.2GB/s（3200MHz版本）
工作温度：0°C 至 85°C 或 -40°C 至 85°C（工业级温度范围）
封装形式：BGA（球栅阵列封装）
H9CKNNNBJTMPLR 采用先进的1x纳米级工艺技术，具有出色的能效比，能够在较低的电压下运行，从而降低功耗和热量产生，提高系统的稳定性。其内部设计优化了数据传输速率和访问延迟，支持高带宽操作，确保了系统在处理大量数据时依然保持流畅和高效。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，有助于延长数据保持时间，减少外部控制器的负担。
在可靠性方面，H9CKNNNBJTMPLR 经过严格测试，具备良好的抗干扰能力和长寿命特性，适用于长时间运行的服务器和工作站应用。该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够检测并纠正单比特内存错误，提升系统的数据完整性和稳定性。
H9CKNNNBJTMPLR 被广泛应用于高性能计算（HPC）、数据中心服务器、企业级工作站、图形处理单元（GPU）显存、AI加速卡、高端台式机和笔记本电脑等场景。由于其出色的性能和可靠性，该芯片也适用于工业自动化、医疗设备、通信基础设施等对内存稳定性和性能有较高要求的领域。
H9CUMNNBJTMPLR-HM
