H9CKNNNBJTMPLR 是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于高端计算设备、服务器、工作站以及需要高速内存处理的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有较大的存储容量和快速的数据存取能力,能够满足现代计算机系统对内存性能的严苛要求。H9CKNNNBJTMPLR 是一种低电压、高带宽的DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器)模块,适用于需要高稳定性和高效能的工业级设备。
容量:1GB / 2GB / 4GB / 8GB(具体容量视具体版本而定)
电压:1.2V
频率:2400MHz / 2666MHz / 3200MHz(具体频率因版本而异)
接口类型:SODIMM / UDIMM(具体取决于模块设计)
带宽:19.2GB/s(3200MHz版本)
工作温度:0°C 至 85°C 或 -40°C 至 85°C(工业级温度范围)
封装形式:BGA(球栅阵列封装)
H9CKNNNBJTMPLR 采用先进的1x纳米级工艺技术,具有出色的能效比,能够在较低的电压下运行,从而降低功耗和热量产生,提高系统的稳定性。其内部设计优化了数据传输速率和访问延迟,支持高带宽操作,确保了系统在处理大量数据时依然保持流畅和高效。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,有助于延长数据保持时间,减少外部控制器的负担。
在可靠性方面,H9CKNNNBJTMPLR 经过严格测试,具备良好的抗干扰能力和长寿命特性,适用于长时间运行的服务器和工作站应用。该芯片还支持ECC(错误校正码)功能,能够检测并纠正单比特内存错误,提升系统的数据完整性和稳定性。
H9CKNNNBJTMPLR 被广泛应用于高性能计算(HPC)、数据中心服务器、企业级工作站、图形处理单元(GPU)显存、AI加速卡、高端台式机和笔记本电脑等场景。由于其出色的性能和可靠性,该芯片也适用于工业自动化、医疗设备、通信基础设施等对内存稳定性和性能有较高要求的领域。
H9CUMNNBJTMPLR-HM