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H9CCNNNBPTMLBRNTM 发布时间 时间:2025/9/1 21:41:06 查看 阅读:10

H9CCNNNBPTMLBRNTM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)内存系列,专为移动设备和嵌入式系统设计,提供了更高的带宽和更低的功耗。这款芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式计算设备等对内存性能和能效要求较高的电子产品中。

参数

内存类型:LPDDR4 SDRAM
  容量:4GB
  封装类型:FBGA
  引脚数:153-pin
  电压:1.1V / 1.8V
  最大频率:3200Mbps
  数据宽度:16位
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

H9CCNNNBPTMLBRNTM 具备多项先进的技术特性,使其在现代电子设备中表现出色。首先,该芯片采用了LPDDR4标准,显著降低了功耗,延长了移动设备的电池续航时间。其1.1V核心电压和1.8V I/O电压的双电源设计,在保证高速运行的同时,进一步优化了能效。
  其次,H9CCNNNBPTMLBRNTM 的最大数据传输速率为3200Mbps,提供了更高的带宽,能够满足高清视频处理、大型游戏、多任务处理等高性能需求。此外,该芯片支持多银行(Multi-Bank)架构和突发长度(Burst Length)控制,提高了内存访问效率,降低了延迟。
  在封装方面,该芯片采用153-pin FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有更小的体积和更高的封装密度,适合高集成度的移动设备主板设计。同时,其宽温工作范围(-40°C至85°C)使其能够在各种严苛环境下稳定运行。

应用

H9CCNNNBPTMLBRNTM 主要应用于需要高性能和低功耗内存的便携式电子设备。典型的应用包括高端智能手机、平板电脑、超极本(Ultrabook)、嵌入式系统、车载信息娱乐系统(IVI)、智能电视和网络通信设备等。由于其高速度和低功耗特性,这款内存芯片非常适合用于需要实时数据处理和多媒体功能的应用场景,如图像处理、视频编码解码、AI推理任务等。

替代型号

H9CCNNNBPTMLBRNTM 的替代型号包括 H9CCNNNBPTMLARNTM、H9CPNNN8GTMLARHTM、H9CQNNN8GTMLARHTM 和 H9CQNNN8GTMLARHTM 等 LPDDR4 内存芯片,具体替代需根据实际电路设计和性能需求进行匹配。

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