PG12FBUSV 时间：2025/9/11 14:08:14 阅读：6

PG12FBUSV 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中。该器件采用高性能的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于高效率和小型化设计。PG12FBUSV 封装为 SuperSOT-3，是一种小型表面贴装封装，便于在高密度 PCB 布局中使用。

参数

类型: N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 4.6A
　　最大漏源电压（VDS）: 12V
　　最大栅源电压（VGS）: ±8V
　　导通电阻（Rds(on)）: 12mΩ（典型值）
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: SuperSOT-3

特性

PG12FBUSV 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其 12mΩ 的 Rds(on) 在同类器件中表现优异，特别适合用于需要高效率的电源转换应用。
　　该器件支持高达 4.6A 的连续漏极电流，具备良好的电流承载能力，同时其 12V 的漏源电压额定值适用于低压电源管理应用。
　　此外，PG12FBUSV 采用了 SuperSOT-3 小型封装，显著减小了 PCB 占用面积，非常适合用于空间受限的设计。该封装还具备良好的热性能，有助于器件在高负载条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平驱动，兼容多种控制器和驱动 IC，提高了设计的灵活性。
　　在可靠性方面，PG12FBUSV 具备优异的抗静电能力和热稳定性，能够在恶劣环境中保持稳定运行。

应用

PG12FBUSV 主要应用于低压电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池供电设备。其低导通电阻和高效率特性使其成为用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的理想选择。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路、LED 驱动器和电源管理模块中，适用于需要高效率和紧凑设计的场合。
　　由于其支持逻辑电平驱动，PG12FBUSV 可直接由微控制器或数字信号处理器控制，用于实现智能电源管理功能。