时间：2025/9/1 22:32:02
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H9CCNNN8PTMLBR-NTM是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的移动式LPDDR4 SDRAM（低功耗双倍数据速率4代同步动态随机存取内存）芯片。该内存芯片专为高性能、低功耗应用场景设计，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子设备中。这款芯片采用先进的封装技术和先进的制造工艺，提供高存储密度和快速的数据访问能力，同时保持较低的能耗。H9CCNNN8PTMLBR-NTM的容量通常为8GB（64位总线），工作电压为1.1V，支持高频率操作，适合对内存带宽和功耗有严格要求的设备。
容量：8GB
内存类型：LPDDR4 SDRAM
总线宽度：x64
电压：1.1V / 1.8V
封装类型：FBGA
封装尺寸：100-ball
工作温度范围：-40°C至85°C
时钟频率：最高可达1600MHz
数据速率：3200Mbps
封装尺寸：8mm x 10mm
内存架构：8G x 8
H9CCNNN8PTMLBR-NTM作为LPDDR4内存芯片，具备多项先进的技术特性。首先，它采用双电压供电设计，核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，有效降低了功耗，延长了设备的电池续航时间。其次，该芯片支持高速数据传输，数据速率可达3200Mbps，时钟频率高达1600MHz，满足高带宽需求，适用于高性能计算、图形处理和多媒体应用。
该芯片还具备低功耗自动刷新（LPASR）功能，在设备处于低功耗模式时，可以自动降低刷新率，从而进一步减少功耗。此外，H9CCNNN8PTMLBR-NTM集成了温度补偿自刷新（TCSR）技术，能够在高温环境下保持数据稳定性，提升系统的可靠性和稳定性。
在封装方面，H9CCNNN8PTMLBR-NTM采用紧凑的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，尺寸为8mm x 10mm，适用于高密度PCB布局，并提供良好的散热性能。该芯片支持多Bank架构和突发长度（Burst Length）优化，可提升内存访问效率并减少延迟。
此外，H9CCNNN8PTMLBR-NTM具备良好的兼容性，适用于各种基于ARM架构或x86架构的移动平台和嵌入式系统，支持现代操作系统的内存管理机制，并符合JEDEC标准规范。
H9CCNNN8PTMLBR-NTM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式控制系统、工业计算机、车载信息娱乐系统（IVI）、便携式医疗设备和智能穿戴设备等。由于其高带宽、低功耗和小封装尺寸的特性，非常适合用于需要高性能内存支持的移动设备和物联网（IoT）产品。在智能手机中，该内存芯片可为多任务处理、高清视频播放、大型游戏和AI计算提供足够的内存支持。在工业和车载应用中，其宽温工作范围和高稳定性确保在严苛环境下仍能保持可靠运行。
H9CCNNN8PTMLBR-NTM的替代型号包括H9CCNNN8GMMLBR-NEC（容量和性能相近的LPDDR4芯片）、H9CCNNN8KMMLBR-NEU、H9CKNNN8KTMRRTM-N01等。根据具体应用需求，也可以选择美光（Micron）或三星（Samsung）的LPDDR4内存芯片，如MT51J8A256A256A2-046和K3UH7H50AM-ACCA等型号。
