H9CCNNN8PTMLBR-NTM是一款由SK海力士(SK Hynix)生产的移动式LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率4代同步动态随机存取内存)芯片。该内存芯片专为高性能、低功耗应用场景设计,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子设备中。这款芯片采用先进的封装技术和先进的制造工艺,提供高存储密度和快速的数据访问能力,同时保持较低的能耗。H9CCNNN8PTMLBR-NTM的容量通常为8GB(64位总线),工作电压为1.1V,支持高频率操作,适合对内存带宽和功耗有严格要求的设备。
容量:8GB
内存类型:LPDDR4 SDRAM
总线宽度:x64
电压:1.1V / 1.8V
封装类型:FBGA
封装尺寸:100-ball
工作温度范围:-40°C至85°C
时钟频率:最高可达1600MHz
数据速率:3200Mbps
封装尺寸:8mm x 10mm
内存架构:8G x 8
H9CCNNN8PTMLBR-NTM作为LPDDR4内存芯片,具备多项先进的技术特性。首先,它采用双电压供电设计,核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,有效降低了功耗,延长了设备的电池续航时间。其次,该芯片支持高速数据传输,数据速率可达3200Mbps,时钟频率高达1600MHz,满足高带宽需求,适用于高性能计算、图形处理和多媒体应用。
该芯片还具备低功耗自动刷新(LPASR)功能,在设备处于低功耗模式时,可以自动降低刷新率,从而进一步减少功耗。此外,H9CCNNN8PTMLBR-NTM集成了温度补偿自刷新(TCSR)技术,能够在高温环境下保持数据稳定性,提升系统的可靠性和稳定性。
在封装方面,H9CCNNN8PTMLBR-NTM采用紧凑的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装形式,尺寸为8mm x 10mm,适用于高密度PCB布局,并提供良好的散热性能。该芯片支持多Bank架构和突发长度(Burst Length)优化,可提升内存访问效率并减少延迟。
此外,H9CCNNN8PTMLBR-NTM具备良好的兼容性,适用于各种基于ARM架构或x86架构的移动平台和嵌入式系统,支持现代操作系统的内存管理机制,并符合JEDEC标准规范。
H9CCNNN8PTMLBR-NTM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式控制系统、工业计算机、车载信息娱乐系统(IVI)、便携式医疗设备和智能穿戴设备等。由于其高带宽、低功耗和小封装尺寸的特性,非常适合用于需要高性能内存支持的移动设备和物联网(IoT)产品。在智能手机中,该内存芯片可为多任务处理、高清视频播放、大型游戏和AI计算提供足够的内存支持。在工业和车载应用中,其宽温工作范围和高稳定性确保在严苛环境下仍能保持可靠运行。
H9CCNNN8PTMLBR-NTM的替代型号包括H9CCNNN8GMMLBR-NEC(容量和性能相近的LPDDR4芯片)、H9CCNNN8KMMLBR-NEU、H9CKNNN8KTMRRTM-N01等。根据具体应用需求,也可以选择美光(Micron)或三星(Samsung)的LPDDR4内存芯片,如MT51J8A256A256A2-046和K3UH7H50AM-ACCA等型号。