容量：8Gb（1GB）
　　电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
　　接口类型：LPDDR4
　　数据速率：3200Mbps
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：153-ball BGA
　　组织结构：x16
　　时钟频率：1600MHz

H9CCNNN8KTMLER-NTMR 具备多项先进特性，包括高带宽、低功耗设计、高集成度以及卓越的热稳定性，适用于现代高性能移动设备。其LPDDR4架构支持多任务并行处理，有效提升系统运行效率。此外，该内存芯片采用先进的工艺制造，具备优异的信号完整性与抗干扰能力，可在高频运行下保持稳定性能。该芯片还支持多种节能模式，如预充电、自刷新和深度掉电模式，有助于进一步延长设备电池续航时间。此外，其JEDEC标准化设计确保与各种主控芯片的兼容性，简化了系统设计与调试过程。
　　在数据完整性方面，H9CCNNN8KTMLER-NTMR 支持错误校正码（ECC）功能，能够在高密度数据处理中提供更高的可靠性。其封装尺寸小巧，适合空间受限的便携式设备使用。此外，该芯片具有良好的热管理性能，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场合。

H9CCNNN8KTMLER-NTMR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、车载信息娱乐系统、智能穿戴设备、工业自动化设备以及边缘计算设备等。由于其高性能与低功耗特性，特别适用于需要高数据吞吐量与长时间续航的设备。在人工智能（AI）边缘计算、机器学习推理、图形处理和多媒体应用中，该内存芯片也能提供稳定可靠的运行支持。此外，它也广泛用于需要高速缓存和临时数据存储的场景，如图像处理、视频编码解码、操作系统运行缓存等。

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