MA0402CG300G500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高功率应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于电源转换器、DC-DC变换器以及射频放大器等应用场景。
该型号属于高效能功率器件系列,具备出色的热性能和电气性能,能够在高温和高压条件下稳定工作,同时提供卓越的效率和可靠性。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
额定电压:650 V
额定电流:10 A
导通电阻:30 mΩ
栅极电荷:75 nC
开关频率:最高 5 MHz
封装形式:TO-247-4L
MA0402CG300G500 的主要特性包括:
1. 超低导通电阻(Rds(on)),确保在高电流条件下保持低损耗。
2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减小无源元件体积并提高整体系统效率。
3. 具备优秀的抗电磁干扰能力,适合复杂电磁环境下的应用。
4. 高可靠性和稳定性,可承受多次浪涌电流冲击。
5. 封装设计优化了散热性能,允许更大的功率密度和更长的使用寿命。
6. 内置保护功能,防止过压和短路情况下的损坏。
由于其高性能特点,这款器件非常适合对效率和功率密度要求较高的应用场合。
MA0402CG300G500 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),例如服务器电源和通信电源。
2. DC-DC 转换器,用于电动汽车充电系统和工业设备。
3. 射频功率放大器,服务于无线通信基站和雷达系统。
4. 太阳能逆变器,提升光伏系统的能量转换效率。
5. 电机驱动器,满足家用电器和工业自动化的需求。
6. 快速充电器,提供高效的小型化解决方案。
这些应用都得益于 MA0402CG300G500 提供的高效功率转换能力和紧凑的设计。
MGH0402D300G500
MAH0402CG300G800
GAN042-650WSA