时间：2025/9/1 12:25:06
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H9CCNNN8GTMLAR-NUS 是由SK hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。该型号主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的电子设备中。这款内存芯片具有高数据传输速率和较低的电压需求，适合在对功耗敏感的电池供电设备中使用。
容量：8Gb（1GB）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：FBGA
工作电压：1.1V（核心电压VDD），1.8V（I/O电压VDDQ）
数据速率：3200Mbps
接口类型：x16
温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：10mm x 12mm
时钟频率：1600MHz
H9CCNNN8GTMLAR-NUS 是一款高性能的LPDDR4 SDRAM芯片，具有出色的能效比，适合在移动设备和嵌入式平台上使用。其主要特性包括低电压操作（1.1V核心电压和1.8V I/O电压），有效降低整体功耗，从而延长电池寿命。此外，该芯片支持3200Mbps的数据传输速率，能够在高负载应用中提供流畅的数据处理能力。
这款内存芯片采用x16的接口架构，提供较高的带宽效率，并支持多种低功耗模式，如预充电电源下降、自刷新和深度掉电模式，以进一步优化能耗。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装方式有助于提高封装密度并增强散热性能，适用于紧凑型设计的电子产品。
该芯片还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和车载应用场景。此外，H9CCNNN8GTMLAR-NUS 支持高密度存储配置，能够满足现代操作系统和应用程序对内存容量日益增长的需求。
H9CCNNN8GTMLAR-NUS 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机、车载信息娱乐系统以及各种嵌入式计算平台。由于其低功耗、高带宽和宽温度范围的特性，该芯片也广泛应用于工业自动化控制、网络通信设备和物联网（IoT）终端设备中。
H9CCNNN8GMMLAR-NUS, H9CCNNN8GTMVAR-NUS, H9CKNNN8GTSVAR-NUS
