H9CCNNN8GTMLAR-NUS 是由SK hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号主要用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的电子设备中。这款内存芯片具有高数据传输速率和较低的电压需求,适合在对功耗敏感的电池供电设备中使用。
容量:8Gb(1GB)
类型:LPDDR4 SDRAM
封装:FBGA
工作电压:1.1V(核心电压VDD),1.8V(I/O电压VDDQ)
数据速率:3200Mbps
接口类型:x16
温度范围:-40°C 至 +85°C
封装尺寸:10mm x 12mm
时钟频率:1600MHz
H9CCNNN8GTMLAR-NUS 是一款高性能的LPDDR4 SDRAM芯片,具有出色的能效比,适合在移动设备和嵌入式平台上使用。其主要特性包括低电压操作(1.1V核心电压和1.8V I/O电压),有效降低整体功耗,从而延长电池寿命。此外,该芯片支持3200Mbps的数据传输速率,能够在高负载应用中提供流畅的数据处理能力。
这款内存芯片采用x16的接口架构,提供较高的带宽效率,并支持多种低功耗模式,如预充电电源下降、自刷新和深度掉电模式,以进一步优化能耗。其FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装方式有助于提高封装密度并增强散热性能,适用于紧凑型设计的电子产品。
该芯片还具备良好的温度适应性,可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行,适用于工业级和车载应用场景。此外,H9CCNNN8GTMLAR-NUS 支持高密度存储配置,能够满足现代操作系统和应用程序对内存容量日益增长的需求。
H9CCNNN8GTMLAR-NUS 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机、车载信息娱乐系统以及各种嵌入式计算平台。由于其低功耗、高带宽和宽温度范围的特性,该芯片也广泛应用于工业自动化控制、网络通信设备和物联网(IoT)终端设备中。
H9CCNNN8GMMLAR-NUS, H9CCNNN8GTMVAR-NUS, H9CKNNN8GTSVAR-NUS