KF11N50F 时间：2025/9/12 11:48:09 阅读：18

KF11N50F是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源转换、开关电源（SMPS）、电机驱动、电池充电器等高功率场景。该器件采用高压工艺制造，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，能够在较高的频率下工作，提高了系统效率。KF11N50F封装通常为TO-220或TO-3P形式，适合散热要求较高的应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：11A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.55Ω
　　功率耗散（Ptot）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-3P

特性

KF11N50F具有较高的电压和电流承受能力，适用于中高功率应用。其500V的漏源耐压使其能够在高压环境下稳定工作，适用于AC/DC转换器和离线电源设计。导通电阻较低，减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，降低了开关损耗，适合高频应用。KF11N50F的热稳定性较好，能够在较高温度下保持性能稳定，适合工业级和消费类电子设备使用。
　　其封装形式提供了良好的散热能力，确保在高电流工作时的可靠性。此外，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态条件下的耐用性，提高了系统的整体稳定性。KF11N50F在设计中可作为主开关或同步整流器使用，满足多种功率转换需求。

应用

KF11N50F主要用于各类开关电源、DC/DC转换器、AC/DC电源适配器、LED驱动电源、电池充电器、电机控制器、逆变器以及各种工业控制设备。由于其高耐压和较大电流承载能力，特别适用于需要高可靠性和高效率的电源系统。在消费电子和工业设备中，该MOSFET常用于主功率开关或同步整流部分，以提高系统效率和降低功耗。同时，其良好的热性能使其适合在高负载和高环境温度条件下使用。