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H8TJR00X0MLR 发布时间 时间:2025/9/1 14:06:12 查看 阅读:3

H8TJR00X0MLR是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,广泛应用于计算机系统、嵌入式设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。H8TJR00X0MLR采用先进的DRAM技术,具有较高的数据存取速度和稳定性,适用于需要高效数据处理能力的场景。

参数

容量:4GB
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  工作电压:1.2V
  数据速率:2400Mbps
  总线宽度:x16
  时钟频率:1200MHz
  工作温度范围:0°C至85°C
  引脚数:96
  制造厂商:SK Hynix

特性

H8TJR00X0MLR是一款高性能DRAM芯片,采用低功耗设计,能够在保持高数据传输速率的同时降低能耗,适用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。该芯片支持自刷新(Self-Refresh)功能,可以在系统休眠时自动刷新数据,从而延长电池寿命。此外,H8TJR00X0MLR具备较高的数据稳定性和可靠性,采用了先进的纠错机制,确保数据在高频访问时的完整性。该芯片的封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。
  H8TJR00X0MLR还支持多种工作模式,包括突发模式(Burst Mode)和预充电模式(Precharge Mode),以优化存储访问效率。它符合JEDEC标准,兼容多种主板控制器和内存控制器,确保了在不同平台上的稳定运行。此外,该芯片内部集成了温度传感器,可实时监测芯片温度,防止过热导致的性能下降或系统不稳定。

应用

H8TJR00X0MLR广泛应用于高性能计算设备、服务器、工业自动化控制系统、网络设备、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)以及嵌入式系统。由于其高带宽和低功耗特性,特别适用于需要高速数据处理和多任务并行执行的场景,例如图形处理、视频编码/解码、数据库管理和虚拟化环境。

替代型号

H8TJR00U0MLR, H8TJR00V0MLR, H8TJR00B0MLR

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