时间：2025/9/1 14:06:12
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H8TJR00X0MLR是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，广泛应用于计算机系统、嵌入式设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。H8TJR00X0MLR采用先进的DRAM技术，具有较高的数据存取速度和稳定性，适用于需要高效数据处理能力的场景。
容量：4GB
类型：DRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.2V
数据速率：2400Mbps
总线宽度：x16
时钟频率：1200MHz
工作温度范围：0°C至85°C
引脚数：96
制造厂商：SK Hynix
H8TJR00X0MLR是一款高性能DRAM芯片，采用低功耗设计，能够在保持高数据传输速率的同时降低能耗，适用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。该芯片支持自刷新（Self-Refresh）功能，可以在系统休眠时自动刷新数据，从而延长电池寿命。此外，H8TJR00X0MLR具备较高的数据稳定性和可靠性，采用了先进的纠错机制，确保数据在高频访问时的完整性。该芯片的封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。
H8TJR00X0MLR还支持多种工作模式，包括突发模式（Burst Mode）和预充电模式（Precharge Mode），以优化存储访问效率。它符合JEDEC标准，兼容多种主板控制器和内存控制器，确保了在不同平台上的稳定运行。此外，该芯片内部集成了温度传感器，可实时监测芯片温度，防止过热导致的性能下降或系统不稳定。
H8TJR00X0MLR广泛应用于高性能计算设备、服务器、工业自动化控制系统、网络设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）以及嵌入式系统。由于其高带宽和低功耗特性，特别适用于需要高速数据处理和多任务并行执行的场景，例如图形处理、视频编码/解码、数据库管理和虚拟化环境。
H8TJR00U0MLR, H8TJR00V0MLR, H8TJR00B0MLR
