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FGA15N120FTDTU 发布时间 时间:2023/12/19 17:31:56 查看 阅读:166

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:IGBT - 单路
IGBT 类型:场截止和沟道
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A
功率 - 最大:220W
输入类型:标准型
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PN-3
包装:管件

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FGA15N120FTDTU参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大220W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3PN
  • 包装管件