H27UCG8U5ATR-BC 是一款由SK Hynix(海力士)制造的NAND闪存芯片,属于其H27U系列。这款NAND闪存芯片设计用于高容量存储应用,具有高性能和高可靠性,广泛应用于SSD(固态硬盘)、嵌入式存储设备以及工业级存储解决方案。H27UCG8U5ATR-BC 采用TTR(TSOP Type 1 Reversed)封装,支持ONFI(Open NAND Flash Interface)标准,具备8位数据总线接口,适用于多种存储控制器。
型号:H27UCG8U5ATR-BC
容量:8GB(64Gb)
电压范围:2.7V - 3.6V
接口类型:ONFI 1.0兼容,8位并行
封装类型:TSOP Type 1 Reversed
工作温度范围:-40°C至+85°C
页面大小:2KB
块大小:128KB
擦写周期:10,000次
读取周期时间:50ns(最小)
写入周期时间:50ns(最小)
H27UCG8U5ATR-BC 是一款高性能的NAND闪存芯片,具备以下关键特性:
首先,该芯片具有8GB的存储容量,适用于中高端嵌入式系统和工业设备中的数据存储需求。其大容量和高速接口设计使其在处理大量数据时表现出色。
其次,H27UCG8U5ATR-BC 支持ONFI 1.0标准,兼容多种NAND控制器,使得系统设计更加灵活,并简化了硬件和固件的开发流程。8位并行接口设计保证了高速数据传输能力,适用于需要快速读写的应用场景。
该芯片采用TSOP Type 1 Reversed封装形式,这种封装方式在PCB布局中提供了更好的空间利用率,并增强了机械稳定性,适用于紧凑型电子设备。
此外,H27UCG8U5ATR-BC 具有宽电压范围(2.7V至3.6V),适应不同电源设计环境,提高了设计灵活性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够满足工业级温度要求,适用于严苛环境下的应用,如工业自动化、车载电子系统和户外设备。
该芯片的页面大小为2KB,块大小为128KB,支持高效的ECC(错误校正码)机制,确保数据的完整性和可靠性。每个块的擦写周期可达10,000次,满足长时间运行和频繁写入的需求。
最后,H27UCG8U5ATR-BC 采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗特性,适合对能耗敏感的应用场景,如便携式设备和远程监测系统。
H27UCG8U5ATR-BC 主要应用于以下领域:
首先,在嵌入式系统中,如工业控制器、医疗设备和通信模块,该芯片可作为主存储介质,用于存储操作系统、固件和用户数据。
其次,在车载电子设备中,如车载信息娱乐系统、行车记录仪和车载导航系统,H27UCG8U5ATR-BC 的宽温特性和高可靠性使其成为理想选择。
此外,该芯片还广泛应用于消费类电子产品,如数字电视、机顶盒和智能家电,用于存储启动代码和用户配置数据。
在工业自动化和物联网(IoT)设备中,该芯片可作为数据存储单元,支持设备长时间运行和数据记录功能。
最后,H27UCG8U5ATR-BC 也适用于手持设备、POS终端和安防监控系统等应用场景。
H27UCG8T2ATR-BC, H27UCG8T2BTR-BC, H27UCG8V5ATR-BC